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元件参数资料
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参数目录49902
> DMN66D0LT-7 MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523
型号:
DMN66D0LT-7
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Diodes Inc
描述:
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
DMN66D0LT-7 PDF
产品变化通告
Bond Wire Change 11/Nov/2011
产品目录绘图
SOT-523 Package Top
SOT-523 Package Side 1
SOT-523 Package Side 2
标准包装
3,000
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
115mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
5 欧姆 @ 115mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
-
输入电容 (Ciss) @ Vds
23pF @ 25V
功率 - 最大
200mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-523
供应商设备封装
SOT-523
包装
带卷 (TR)
产品目录页面
1577 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
DMN66D0LTDITR
查看DMN66D0LT-7代理商
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